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高纯硅烷
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导读：高纯硅烷 : SiH4,纯度大于99.999%,要求H25×10-5、O2+Ar1×10-6、CH41×10-6、CO+CO21×10-6,H2O1×10-6、总氯0.14×10-12,在常温常压下为恶臭的无色气体,在空气或卤素气体中发生爆炸性燃烧,与金属卤化物激烈反应,也与CCl4反应、故对硅烷不能用氟里昂灭火剂。熔点-185.0℃、沸点-111.5℃。一般采用低温吸附、连续液化、精馏
高纯硅烷 : SiH4,纯度
大于99.999%,要求H2<5×10-5、O2+Ar
<1×10-6、CH4<1×10-6、CO+CO2<1×
10-6,H2O<1×10-6、总氯<0.14×10-12,
在常温常压下为恶臭的无色气体,在空气或
卤素气体中发生爆炸性燃烧,与金属卤化物
激烈反应,也与CCl4反应、故对硅烷不能用
氟里昂灭火剂。熔点-185.0℃、沸点
-111.5℃。一般采用低温吸附、连续液化、精
馏提纯工艺,并在生产中对气体成分进行连
续监控制得本品。
本品用于半导体生产中的生长高纯单晶
硅、多晶硅外延片以及二氧化硅、氮化硅、磷
硅玻璃、非晶硅等化学气相沉积工艺。并广
泛用于非晶硅太阳能电池、硅复印机鼓、光
电传感器、光导纤维及特种玻璃等的生产
研制。
